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以氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優點，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，正在成為半導體產業新的戰略高地。 

ZnO具有激子束縛能高、可見光透過率高、紫外吸收強等特點，同時擁有壓電、熱電等特性，是一種*的第三代半導體材料。ZnO半導體材料的研究吸引了*科學家的關注，已成為當前科研的前沿熱點之一。經過十多年持續的攻關研究，人們對ZnO半導體的光、電、磁及壓電等特性的理解和研究不斷深入。ZnO半導體在太陽能電池、發電機、傳感器、探測器、發光二管和激光器等領域的應用成果不斷湧現，特別是ZnO透明導電膜、薄膜晶體管等方麵的大規模工業應用已迅速展開。目前，ZnO的研究已進入功能擴展與綜合利用的新階段，有著巨大的潛在應用前景。 

全國氧化鋅學術會議是由中國物理學會發光分會主辦的專注ZnO科學研究進展交流的全國性重要會議，每兩年舉辦一次。第八屆全國氧化鋅學術會議擬定於2017年10月29-31日在南寧市相思湖大酒店召開，本屆會議由北京科技大學、廣西大學和廣西光學學會聯合承辦。本屆會議旨在集中展示我國ZnO研究領域取得的科研成果，為相關科技工作者提供一個學術和技術交流的平台，共同研討ZnO研究中存在的基本科學和技術問題，探尋解決途徑，大力推動我國在ZnO相關物理問題和器件應用方麵的研究。

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